據科技日報報道，近日，複信書旦大(dà)學微電(diàn)子學院教授張衛、周坐子鵬團隊在存儲領域取得技術突破，開(kāi)創了第三類存儲技術，微海該技術寫入速度比目前U盤快了一(yī)萬倍，且用戶可自行決定數據存儲時間哥著。

     很草據張衛教授介紹，目前半導體(tǐ)電(diàn)關吃荷存儲技術主要有兩類，第一(yī)類是易失性存他車儲，如計算機内存，數據寫入僅需幾納秒左右，但掉電(diàn用車)後數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，如U盤，數據寫入需金費要幾微秒到幾十微秒，但無需額外(wài)能高員量可保存10年左右。

     在國際上，存也窗儲設備的“寫入速度”和“非易失性”兩種特性一(yī)藍科直不可兼得，而兩位教授的研發團隊不僅實現了“内存級”的讀寫速度，還在城她數據存儲時間方面取得了突破。

     這種設備的數據保存周期能在10紅師秒至10年之間按需調整。能夠實現數據有效期截止後自然消失，解決了特殊場景下(x業睡ià)數據傳輸與保密要求之間的矛盾。